Диоды низковольтные

2А509Б

2А509Б

Вес: 1,3 г
Напряжение: мгновенное обратное: 175 В
Ток: постоянный прямой: 100 мА
Частота: критическая: 150…350 ГГц
Емкость: корпуса: 0,3…0,45 пФ
Индуктивность: диода: 0,5 нГн
Мощность: импульсная рассеиваемая: 1,4 кВт
Сопротивление: потерь прямое: не более 1,5 Ом
Заряд: накопленный: не более 25 нКл
Температура: окружающей среды: -60…+100°С
Минимальная наработка: 25000 ч
Срок службы: 25 лет

Цена: 2,779.92 Руб.