Напряжение: постоянное обратное: 150 В
Ток: постоянный прямой: 150 мА
Частота: критическая: >300 ГГц
Емкость: 0,12…0,2 пФ
Мощность: импульсная рассеиваемая: 5 кВт
Сопротивление: потерь: <1,5 Ом
Заряд: накопленный: <200 нКл
Температура окружающей среды при эксплуатации: -60…+125 °С
Напряжение: постоянное обратное: 150 В
Ток: постоянный прямой: 150 мА
Частота: критическая: >300 ГГц
Емкость: 0,12…0,2 пФ
Мощность: импульсная рассеиваемая: 5 кВт
Сопротивление: потерь: <1,5 Ом
Заряд: накопленный: <300 нКл
Температура окружающей среды при эксплуатации: -60…+125 °С
Вес: 0,5 г
Напряжение: постоянное обратное: не более 250 В
Ток: постоянный прямой: не более 500 мА
Частота: критическая: не менее 100 ГГц
Емкость: общая: не более 2,4 пФ
Мощность: импульсная рассеиваемая: не более 1500 Вт
Сопротивление: потерь прямое: не более 0,5 Ом
Заряд: накопленный: не более 900 нКл
Рабочая температура: -60…+125°С
Минимальная наработка: 25000 ч
Срок сохраняемости: 25 лет
Вес: 0,15 г
Напряжение: постоянное обратное: 40…200 В
Ток: постоянный прямой: 300 мА
Емкость: 0,9…1,5 пФ
Время: прямого восстановления диода: <1,5 мкс
Мощность: импульсная рассеиваемая: 100 Вт
Сопротивление: потерь: <0,5 Ом
Температура окружающей среды при эксплуатации: -60…+125 °С
Вес: 1,3 г
Напряжение: постоянное обратное: 300 В
Ток: постоянный прямой: 200 мА
Емкость: 0,3…0,45 пФ
Мощность: импульсная рассеиваемая: 10 кВт
Сопротивление: потерь: <0,2 Ом
Температура окружающей среды при эксплуатации: -60…+125 °С
Вес: 1,3 г
Напряжение: постоянное обратное: 300 В
Ток: постоянный прямой: 200 мА
Емкость: 0,3…0,45 пФ
Мощность: импульсная рассеиваемая: 10 кВт
Сопротивление: потерь: <0,2 Ом
Температура окружающей среды при эксплуатации: -60…+125 °С
Напряжение: постоянное обратное: 150 В
Ток: постоянный прямой: 100 мА
Емкость: 0,15…0,3 пФ
Мощность: рассеиваемая: 0,5 Вт
Сопротивление: потерь: <0,5 Ом
Температура окружающей среды при эксплуатации: -60…+125 °С
Вес: 1,3 г
Напряжение: постоянное обратное: не более 200 В
Ток: постоянный прямой: не более 100 мА
Частота: переключения критическая: не менее 70 ГГц
Емкость: общая: не более 0,18 пФ
Мощность: непрерывная рассеиваемая: 1 Вт
Сопротивление: потерь прямое: не более 5,5 Ом
Температура: окружающей среды: -60…+100°С
Минимальная наработка: 15000 ч
Срок службы: 25 лет
Вес: 0,25 г
Напряжение: постоянное обратное: 50…200 В
Ток: постоянный прямой: 700 мА
Емкость: общая: 0,55…0,75 пФ
Сопротивление: потерь прямое: не более 2 Ом
Температура: окружающей среды: -60…+100°С
Минимальная наработка: 25000 ч
Срок службы: 25 лет
Вес: 0,15 г
Напряжение: постоянное обратное: 25 В
Ток: постоянный прямой: 200 мА
Емкость: корпуса: 0,25…0,3 пФ
Корпус: КД-110
Время: обратного восстановления: не более 230 нс
Индуктивность: диода: 0,6…0,8 нГн;
Мощность: импульсная рассеиваемая: 40 Вт
Сопротивление: потерь прямое: не более 1,5 Ом
Заряд: накопленный: не более 25 нКл
Температура: окружающей среды: -60…+100°С
Минимальная наработка: 25000 ч
Срок службы: 25 лет
Вес: 1,3 г
Напряжение: мгновенное обратное: 175 В
Ток: постоянный прямой: 100 мА
Частота: критическая: 150…350 ГГц
Емкость: корпуса: 0,3…0,45 пФ
Индуктивность: диода: 0,5 нГн
Мощность: импульсная рассеиваемая: 1,4 кВт
Сопротивление: потерь прямое: не более 1,5 Ом
Заряд: накопленный: не более 25 нКл
Температура: окружающей среды: -60…+100°С
Минимальная наработка: 25000 ч
Срок службы: 25 лет
Напряжение: прямое, не более 0,3 В
Емкость: структуры: 0,365…0,435 пФ
Время: обратного восстановления: не более 60 мкс
Мощность: импульсная рассеиваемая: 1 кВт
Сопротивление: потерь прямое, не более 3,3 Ом
Температура: окружающей среды: -60…+125°С
Минимальная наработка: 1000 ч
Срок службы: 12 лет
Наш телефон: