Микросхемы памяти

Тип: М/с памяти серии 24AA256
Напряжение питания: 2,5…5,5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 256K I2 CMOS Serial EEPROM
Частота: 400 (max) кГц
Потребляемый ток: 3 мА
Интерфейс: 2-Wire, I2C
Время: доступа — 900 нс
Память: 256 kбит(32k x 8) EEPROM
Вес брутто: 1.00
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/500
Тип монтажа: Through Hole
Корпус: PDIP-8
Упаковка: Tube, 60 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: М/ с памяти серии AT24C512C
Напряжение питания: 2,5…5,5 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: I²C-Compatible (Two-Wire) Serial EEPROM 512‑Kbit (65,536 x 8)
Частота: 1 МГц
Потребляемый ток: 3 мА (max); ток ожидания — 6 мкА (max)
Интерфейс: последовательный I2C-совместимый (двухпроводный)
Время: доступа — 550 нс; сохранения данных — не менее 40 лет
Память: EEPROM 512 кбит (64к x 8)
Вес брутто: 0.21
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*51*41/4000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8 Narrow
Упаковка: REEL, 4000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: М/с памяти серии CY62128ELL
Напряжение питания: 4,5…5,5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 1-Mbit (128 K × 8) Static RAM
Потребляемый ток: 1,3 (при F — 1 МГц) мА
Интерфейс: Parallel — 1 порт
Время: доступа — 45 нс
Память: SRAM 1 Мбит (128 Кбит х 8)
Вес брутто: 1.70
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/200
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-32
Упаковка: REEL, 1000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Тип: М/с памяти серии CY62256NLL
Ширина: 256-Kbit (32 K × 8) Static RAM
Напряжение питания: 4,5…5,5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Частота: тактовая (max) — 75 МГц
Потребляемый ток: 50 (max) мА
Интерфейс: Parallel — 1 порт
Время: доступа — 55 нс
Память: SRAM 256 Кбит (32 Кбит х 8)
Вес брутто: 1.40
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/1000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-28
Упаковка: REEL, 1000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Тип: М/с памяти серии FM22L16-55-TG
Напряжение питания: 2,7…3,6; Uраб. — 3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 4-Mbit (256K × 16) F-RAM Memory
Интерфейс: Parallel
Время: доступа — 55 нс
Память: FRAM 4 Мбит (256 Кбит х 16)
Вес брутто: 4.22
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 66*45*40/135
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TSOP-44
Упаковка: TRAY, 135 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Тип: М/с памяти серии FM24V10-G
Напряжение питания: 2…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 1-Mbit (128 K x 8) Serial (I2C) F-RAM
Интерфейс: I2C
Память: FRAM 1Mбит (128Kбит x 8)
Вес брутто: 0.12
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 59*40*39/500
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 2500 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Тип: М/с памяти серии FM24W256-G
Напряжение питания: 2,7…5,5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 256-Kbit (32k x 8) Serial (I2C) F-RAM
Частота: 1 МГц
Потребляемый ток: 100 (при F — 100 кГц) мкА
Интерфейс: I2C
Память: FRAM 256 Кбит
Вес брутто: 0.13
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/300
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 2500 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Тип: М/с последовательной памяти ферроэлектрическая серии FM25V
Напряжение питания: 2…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 2-Mbit (256 K × 8) Serial (SPI) F-RAM
Частота: 40 МГц
Потребляемый ток: 300 (при F — 1 МГц) мкА
Интерфейс: SPI
Память: FRAM 2 Мбит (256 Кбит х 8)
Вес брутто: 0.22
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/500
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 2000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Тип: М/с памяти серии FM25W256-G
Напряжение питания: 2,7…5,5 (max); Uраб. — 3…5 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 256-Kbit (32K × 8) Serial (SPI) F-RAM
Частота: 20 (max) МГц
Потребляемый ток: 250 (при 1 МГц) мкА
Интерфейс: SPI
Память: FRAM 256 Кбит
Вес брутто: 0.13
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*42*43/303
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 2500 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Тип: М/с памяти серии FM25V20A-G
Напряжение питания: 2…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 256-Kbit (32K × 8) F-RAM Memory
Потребляемый ток: 5 мА
Интерфейс: SPI
Время: доступа — 70 нс
Память: FRAM 2 Мбит (256 Кбит х 8)
Вес брутто: 1.81
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*43/1000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-28
Упаковка: REEL, 1000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Тип: синхронизации — synchronous
Ширина: шины данных — 8 бит
Характеристика: быстродействие — 75 нс
Напряжение питания: 2,7…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Ток: считывания активный — 8 мА
Описание: Micron M25P16 Serial Flash Embedded Memory
Частота: тактовая (max) — 75 МГц
Интерфейс: SPI
Память: NOR 16 Мбит (2 Мбит х 8)
Вес брутто: 0.38
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/2500
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SO-8
Упаковка: REEL, 2500 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Тип: М/с памяти серии MT29F
Напряжение питания: 1,7…3,6 (1,7…1,95) В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 2Gb: x8 NAND Flash Memory Features
Интерфейс: IC
Память: NAND Flash 2 Гбит (256 Мбит х 8)
Вес брутто: 0.73
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*36/300
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TSOP-48
Упаковка: REEL, 1000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Тип: синхронизации — asynchronous
Ширина: шины данных — 8 бит
Характеристика: быстродействие — 25 нс
Напряжение питания: 2,7…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Потребляемый ток: 30 (max) мА
Интерфейс: Parallel
Память: FLASH-NAND 2 Гбит (256 Мбит х 8)
Архитектура: Multiplane
Вес брутто: 2.66
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*40*40/192
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TSOP-48
Упаковка: TRAY, 96 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Тип: М/с памяти конфигурационная серии AT17LV256
Напряжение питания: 3,3/ 5 (3/ 4,5 min; 3,6/ 5,5 max) В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FPGA Configuration EEPROM Memory 3.3V and 5.0V System Support
Частота: 10…12,5 (max) кГц
Потребляемый ток: 5/ 10 мА
Память: 64 kбит(8k x 8) EEPROM
Вес брутто: 1.50
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/40
Тип монтажа: Through Hole
Корпус: PDIP-8
Упаковка: Tube, 50 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: М/c ППВМ — конфигурационная память серии EPCQ
Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Частота: 100 (max) МГц
Потребляемый ток: 100 мкА
Память: Flash 4 Mbit
Вес брутто: 0.17
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*40*47/1000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: Tube, 100 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Тип: М/c ППВМ — конфигурационная память серии EPCQ
Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Частота: 100 (max) МГц
Потребляемый ток: 100 (max) мкА
Память: Flash 64 Mbit
Вес брутто: 1.36
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/44
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-16
Упаковка: Tube, 44 шт
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Тип: ППВМ — Конфигурационная память серии EPCS16 (Enpirion)
Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FPGA — Configuration Memory
Частота: (max) — 40 МГц
Потребляемый ток: 50 мкА
Память: Flash — 16 Mbit
Вес брутто: 0.19
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*47*40/700
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: Tube, 100 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Тип: ППВМ — Конфигурационная память серии EPCS4 (Enpirion)
Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FPGA — Configuration Memory
Частота: (max) — 40 МГц
Потребляемый ток: 50 мкА
Память: Flash — 4 Mbit
Вес брутто: 0.18
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*49/500
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: Tube, 100 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Тип: М/c энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM24CL16B
Напряжение питания: 2,7…3,65 (max); Uраб.=3 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 16-Kbit (2K × 8) Serial (I2C) F-RAM
Частота: до 1 МГц
Потребляемый ток: 100 мкА (в режиме ожидания — 3 мкА)
Интерфейс: 2-Wire I2C (двухпроводный)
Память: F-RAM 16 кbit (2 к х 8)
Вес брутто: 0.47
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/2500
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 2500 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Тип: М/с памяти ферроэлектрическая серии FM25L16B-G
Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: F-RAM 16Kb Serial SPI 3V
Интерфейс: SPI
Память: 16-Kbit (2K × 8) F-RAM
Вес брутто: 0.44
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 59*46*56/2500
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 2500 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Тип: М/с последовательной памяти ферроэлектрическая серии FM25V
Напряжение питания: 2…3,6 (max); Uраб.=3,3 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: F-RAM NVRAM FRAM Memory Serial
Интерфейс: SPI
Память: 256-Kbit (32Kбит x 8) F-RAM
Вес брутто: 0.48
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*40*38/2500
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 2500 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 1,65 … 3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH Memory 4Mb (264 Bytes x 2048 pages) SPI 85 MHz SOIC-8(Wide)
Частота: 70 МГц
Интерфейс: SPI
Память: Flash 4Mb (264 Bytes x 2048 pages)
Вес брутто: 0.55
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*40*60/2000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8 Wide
Упаковка: REEL, 2000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 1,65 … 3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH Memory 4Mb (264 Bytes x 2048 pages) SPI 85 MHz SOIC-8(Narrow)
Частота: 70 МГц
Интерфейс: SPI
Память: Flash 4Mb (264 Bytes x 2048 pages)
Вес брутто: 0.26
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 64*41*31/2000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8 Narrow
Упаковка: REEL, 4000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 2,3…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH Memory IC 16Mb (528 Bytes x 4096 pages) SPI 85 MHz SOIC-8(Wide)
Частота: 85 МГц
Интерфейс: SPI
Память: Flash 16Mb
Вес брутто: 0.23
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 59*40*39/400
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8 Wide
Упаковка: REEL, 2000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: Флеш-память NOR
Напряжение питания: 1,7 … 3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: FLASH Memory IC 64Mb (264 Bytes x 32K pages) SPI 85 MHz SOIC-8 (Wide)
Частота: 85 МГц
Интерфейс: SPI
Память: Flash 64Mb (264 Bytes x 32K pages)
Вес брутто: 0.53
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 57*46*43/2000
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8 Wide
Упаковка: REEL, 2000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Тип: Флеш-память NOR
Ширина: шины данных — 8 бит
Напряжение питания: 2,7…3,6 В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 16Mb (2M x 8) Flash Memory NOR Serial (SPI) 50 MHz
Частота: 50 МГц
Интерфейс: SPI
Память: NOR 16 Мбит (2 Мбит х 8)
Вес брутто: 0.29
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*36/450
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: TUBE, 90 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3

Тип: М/с памяти серии FM24C04B-G
Напряжение питания: 4.5…5.5 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: F-RAM 4Kb Serial I2C 5V FRAM
Частота: 1 МГц
Интерфейс: 2-Wire
Память: F-RAM 4 кБ
Вес брутто: 0.48
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 40*40*40/2500
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: SOIC-8
Упаковка: REEL, 2500 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3