Отечественные микросхемы
К293ЛП1Б DIP-8
Вес: не более 1 г
Корпус: 2101.8-1
Входное напряжение: 1,1-1,5 В
Выходное напряжение: высокого уровня: не менее 2,4 В
Время: задержки: 500 нс
К284УД2
Вес: 2 г
Корпус: 1203.15-1
Напряжение питания: 6 В
Входное напряжение: 2 В
Выходное напряжение: не более 1,5 В
Входное сопротивление: не менее 200 MΩ
К264УМ1
Напряжение: выходного сигнала высокого уровня: -40 В
Выходной ток: 8 мА
Входной ток: 1,2 мА
Мощность: потребляемая: ≤ 323 мВт
Частота: входного сигнала: 1 МГц
К249КН1Е
Напряжение: питания:не более 3,6 В
Выходное напряжение: 750 мкВ м
Сопротивление изоляции: 10^9 Ом
Время: задержки: 10 мкс
Ток утечки: 100 нА
Емкость: не более 5 пФ
К249КН1Д
Напряжение: питания:не более 3,6 В
Выходное напряжение: 750 мкВ м
Сопротивление изоляции: 10^9 Ом
Время: задержки: 10 мкс
Ток утечки: 100 нА
Емкость: не более 5 пФ
К237ХА6
Напряжение: питания: 6 ±10% В
Ток: потребления: < 6 мА
Мощность: потребляемая: <80 мВт
Входное сопротивление: > 300 Ом
К237ГС1
Напряжение: стабилизированное: 4…5,4 В
Ток: потребления: ≤ 31 мА
Мощность: потребляемая: ≤ 0,3 Вт
К228УВ2
Вес: не более 3 г
Корпус: 1203.15-1
Напряжение: питания: 6,3В+-10%
Мощность: потребляемая: не более 70 мВт
Входное сопротивление: >200 Ом
К224ХП1
Напряжение: питания: 12+-10% В
Ток: потребления: < 12,5 мА
Выходное напряжение: на выводе 7 > 9,5; на выводе 8 > 8,5 В
К224ГГ1
Напряжение: питания: 9 ±20% В
Ток: потребления: ≤ 10 мА
Выходное напряжение: ≤ 7 В
Мощность: потребления: ≤ 100 мВт
Длительность импульса: 95…175 мкс
К217НТ1
Напряжение: насыщения коллектор-эмиттер: <0,33 В Ток: коллектора обратный: <1 мкА Коэффициент: передачи по току: 30…90 Время: рассасывания: <25 нс Мощность: рассеиваемая: <20 мВт
Наш телефон:
+7 (495)504-39-38
МИНИМАЛЬНЫЙ ЗАКАЗ: 5000 рублей
