Отечественные микросхемы

Вес: 0,35 г
Корпус: 401.14-5
Напряжение питания: 6 В
Напряжение: на входе относительно «земли» <5 В Рабочая температура: -60…+125 °С Выходной ток: вытекающий < 15 мА Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/мВт Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 мВ Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ Температура: кристалла предельная 150 °С

Вес: 0,35 г
Корпус: 401.14-5
Напряжение питания: 6 В
Напряжение: на входе относительно «земли» <5 В Рабочая температура: -60…+125 °С Выходной ток: вытекающий < 15 мА Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/мВт Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 мВ Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ Температура: кристалла предельная 150 °С

Производство: Россия
Год:2000

Вес: 0,35 г
Корпус: 401.14-3
Напряжение питания: 6 В
Напряжение: на входе относительно «земли» <5 В Рабочая температура: -60…+125 °С Выходной ток: вытекающий < 15 мА Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/мВт Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 мВ Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ Температура: кристалла предельная 150 °С

Вес: 0,35 г
Корпус: 401.14-3
Напряжение питания: 6 В
Напряжение: на входе относительно «земли» <5 В Рабочая температура: -60…+125 °С Выходной ток: вытекающий < 15 мА Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/мВт Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 мВ Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ Температура: кристалла предельная 150 °С

Вес: 0,35 г
Корпус: 401.14-3
Напряжение питания: 6 В
Напряжение: на входе относительно «земли» <5 В Рабочая температура: -60…+125 °С Выходной ток: вытекающий < 15 мА Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/мВт Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 мВ Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ Температура: кристалла предельная 150 °С

Вес: 0,35 г
Корпус: 401.14-3
Напряжение питания: 6 В
Напряжение: на входе относительно «земли» <5 В Рабочая температура: -60…+125 °С Выходной ток: вытекающий < 15 мА Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/мВт Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 мВ Частота: переключения < 3 МГц Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ Температура: кристалла предельная 150 °С

Вес: 0,35 г
Корпус: 401.14-3
Напряжение питания: 6 В
Напряжение: на входе относительно «земли» <5 В Рабочая температура: -60…+125 °С Выходной ток: вытекающий < 15 мА Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/мВт Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 мВ Частота: переключения < 3 МГц Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ Температура: кристалла предельная 150 °С

Производство: Россия
Год:200*

Производство: Россия
Год:1989

Вес: 0,35 г
Корпус: 401.14-3
Напряжение питания: 6 В
Напряжение: на входе относительно «земли» <5 В Рабочая температура: -60…+125 °С Выходной ток: вытекающий < 15 мА Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/мВт Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 мВ Частота: переключения < 3 МГц Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ Температура: кристалла предельная 150 °С

Производство: Россия
Год:1989

Вес: 0,35 г
Корпус: 401.14-4
Напряжение питания: 6 В
Напряжение: на входе относительно «земли» <5 В Рабочая температура: -60…+125 °С Выходной ток: вытекающий < 15 мА Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/мВт Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 мВ Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ Температура: кристалла предельная 150 °С

Вес: 0,35 г
Корпус: 401.14-5
Напряжение питания: 6 В
Напряжение: на входе относительно «земли» <5 В Рабочая температура: -60…+125 °С Выходной ток: вытекающий < 15 мА Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/мВт Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 мВ Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ Температура: кристалла предельная 150 °С

Вес: 0,35 г
Корпус: 401.14-3
Напряжение питания: 6 В
Напряжение: на входе относительно «земли» <5 В Рабочая температура: -60…+125 °С Выходной ток: вытекающий < 15 мА Сопротивление: тепловое кристалл-среда 0,25°С/мВт Мощность: рассеяния без теплоотвода < 100 мВ Емкость: нагрузки макс. < 200 пФ Температура: кристалла предельная 150 °С

Производство: Россия
Год:1985

Вес: 1,5 г
Корпус: 3101.8-8.01
Напряжение: эмиттер-база обратное: < 6,5 В Рабочая температура: -45 +70 °С Коммутируемое напряжение: < 6,3 В Коммутируемый ток: < 10 мА

Вес: 1,5 г
Корпус: 402.16-6
Напряжение питания: 6 В
Входное напряжение: мин.: -5,5 В
Рабочая температура: -10… +70 °С
Выходной ток: макс.: 40 мА
Температура: кристалла, предельно допустимая: 125 °С

Вес: 1 г
Корпус: 402.16-6

Вес: 1 г
Корпус: 402.16-6

Вес: 1,5 г
Корпус: 402.16-6
Напряжение питания: 6 В
Входное напряжение: мин.: -5,5 В
Рабочая температура: -10… +70 °С
Выходной ток: макс.: 40 мА
Температура: кристалла, предельно допустимая: 125 °С

Вес: 1,5 г
Корпус: 402.16-6
Напряжение питания: 6 В
Входное напряжение: мин.: -5,5 В
Рабочая температура: -10… +70 °С
Выходной ток: макс.: 40 мА
Температура: кристалла, предельно допустимая: 125 °С

Вес: 1,5 г
Корпус: 402.16-6
Напряжение питания: 6 В
Входное напряжение: мин.: -5,5 В
Рабочая температура: -10… +70 °С
Выходной ток: макс.: 40 мА
Температура: кристалла, предельно допустимая: 125 °С

Производство: Россия
Год:1989

Вес: 1,5 г
Корпус: 402.16-6
Напряжение питания: 6 В
Входное напряжение: мин.: -5,5 В
Рабочая температура: -10… +70 °С
Выходной ток: макс.: 40 мА
Температура: кристалла, предельно допустимая: 125 °С

Вес: 1 г
Корпус: 402.16-6
Напряжение питания: 6 В
Входное напряжение: мин.: -5,5 В
Рабочая температура: -10… +70 °С
Выходной ток: макс.: 40 мА
Температура: кристалла, предельно допустимая: 125 °С

Вес: 1,5 г
Корпус: 402.16-6.03
Напряжение питания: 6 В
Входное напряжение: мин.: -5,5 В
Рабочая температура: -10… +70 °С
Выходной ток: макс.: 40 мА
Температура: кристалла, предельно допустимая: 125 °С

Вес: 1,5 г
Корпус: 402.16-6.03
Напряжение питания: 6 В
Входное напряжение: мин.: -5,5 В
Рабочая температура: -10… +70 °С
Выходной ток: макс.: 40 мА
Температура: кристалла, предельно допустимая: 125 °С