Транзисторы разные

Конфигурация: n-p-n
Ток: коллектор-эмиттер обратный: не более 1 мА
Мощность: рассеиваемая: 2,5 Вт
Максимальное напряжение: эмиттер-база: 2,5 В
Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 2 ГГц
Максимальный ток: коллектора постоянный: 0,18 А
Емкость: коллекторного перехода: не более 4 пФ

Производство: Россия
Год:1991

Производство: Россия
Год:1992

Производство: Россия
Год:198*

Конфигурация: p-n-p
Ток: коллектор-эмиттер обратный: не более 0,5 мА
Мощность: рассеиваемая: 5 Вт
Максимальное напряжение: эмиттер-база: 4,5 В
Коэффициент: передачи тока статический: более 30
Частота: коэффициента передачи тока граничная: более 75 МГц
Максимальный ток: коллектора постоянный: 0,5 А
Сопротивление: насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,75 Ом
Емкость: коллекторного перехода: не более 70 пФ

Производство: Россия
Год:198*

Производство: Россия
Год:1985

Конфигурация: p-n-p
Ток: коллектор-эмиттер обратный: не более 1,5 мА
Мощность: рассеиваемая: 20 Вт
Максимальное напряжение: эмиттер-база: 4,5 В
Коэффициент: передачи тока статический: более 15
Частота: коэффициента передачи тока граничная: более 40 МГц
Максимальный ток: коллектора постоянный: 2 А
Сопротивление: насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом
Емкость: коллекторного перехода: не более 300 пФ

Производство: Россия
Год:1990

Конфигурация: n-p-n
Мощность: рассеиваемая: 0,5 Вт
Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В
Коэффициент: передачи тока статический: 50…200
Частота: коэффициента передачи тока граничная: более 250 МГц
Максимальный ток: коллектора постоянный: 0,8 А

Производство: Россия
Год:199*

Конфигурация: n-p-n
Ток: коллектора обратный: не более 30 мА
Мощность: рассеиваемая: 25 Вт
Максимальное напряжение: эмиттер-база: 3,5 В
Частота: коэффициента передачи тока граничная: более 500 МГц
Максимальный ток: коллектора импульсный: 8,5 А
Емкость: коллекторного перехода: не более 60 пФ

Конфигурация: n-p-n
Ток: коллектора обратный: не более 12 мА
Мощность: рассеиваемая: 11 Вт
Максимальное напряжение: эмиттер-база: 4 В
Коэффициент: усиления мощности: не менее 5 дБ
Частота: коэффициента передачи тока граничная: более 500 МГц
Максимальный ток: коллектора импульсный: 3 А
Емкость: коллекторного перехода: не более 30 пФ

Производство: Россия
Год:1988

Конфигурация: n-p-n
Ток: коллектор-эмиттер обратный: не более 10 мА
Мощность: рассеиваемая: 12,5 Вт
Максимальное напряжение: эмиттер-база: 4 В
Коэффициент: усиления мощности: не менее 12,5 дБ
Частота: коэффициента передачи тока граничная: более 90 МГц
Максимальный ток: коллектора постоянный: 3,5 А
Емкость: коллекторного перехода: не более 50 пФ

Производство: Россия
Год:1986

Производство: Россия
Год:1990

Производство: Россия
Год:1990

Производство: Россия
Год:1992

Производство: Россия
Год:1989

Производство: Россия
Год:1990
Срок поставки: плох. состояние

Конфигурация: n-p-n
Ток: коллектора обратный: не более 2 мА
Мощность: рассеиваемая: 2,5 Вт
Максимальное напряжение: эмиттер-база: 2,5 В
Коэффициент: усиления мощности: не менее 2 дБ
Выходная мощность: не менее 0,5 Вт на частоте 3 ГГц
Частота: коэффициента передачи тока граничная: более 1000 МГц
Максимальный ток: коллектора постоянный: 0,25 А
Емкость: коллекторного перехода: не более 4,2 пФ

Конфигурация: n-p-n
Ток: коллектора обратный: не более 2 мА
Мощность: рассеиваемая: 2,5 Вт
Максимальное напряжение: эмиттер-база: 2,5 В
Коэффициент: усиления мощности: не менее 2 дБ
Выходная мощность: не менее 0,25 Вт на частоте 3 ГГц
Частота: коэффициента передачи тока граничная: более 800 МГц
Максимальный ток: коллектора постоянный: 0,25 А
Емкость: коллекторного перехода: не более 4,2 пФ

Конфигурация: p-n-p
Ток: коллектора обратный: не более 1 мкА
Мощность: рассеиваемая: 12,5 Вт
Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В
Коэффициент: передачи тока статический: 60-400
Частота: коэффициента передачи тока граничная: более 100 МГц
Максимальный ток: коллектора постоянный: 3 А
Сопротивление: насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом

Производство: Россия
Год:1988

Производство: Россия
Год:199*

Производство: Россия

Вес: 2 г
Корпус: КТ-16-2