Транзисторы разные

Производство: Россия

Конфигурация: n-p-n
Ток: эмиттера обратный: <20 мА Мощность: рассеиваемая макс.: 130 Вт Максимальное напряжение: питания: 28 В Выходная мощность: >30 Вт
Частота: коэффициента передачи тока граничная: >225 МГц
Максимальный ток: коллектора постоянный: 16 А
Рабочая температура: -40…+85 °С
Коэффициент усиления: по мощности: >7,5 дБ
Максимальная температура: перехода: 200 °С

Производство: Россия
Год:1988

Производство: Россия
Год:1989

Производство: Россия
Год:1989

Производство: Россия
Год:1997

Производство: Россия
Год:1989

Производство: Россия
Год:198*

Конфигурация: n-p-n
Ток: коллектор-эмиттер обратный: 3 мА
Мощность: рассеиваемая: 16 Вт
Максимальное напряжение: эмиттер-база: 4 В
Коэффициент: передачи тока статический: более 10
Частота: коэффициента передачи тока граничная: более 300 МГц
Максимальный ток: коллектора импульсный: 3 А
Сопротивление: насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4 Ом
Емкость: коллекторного перехода: не более 20 пФ

Производство: Россия
Год:198*

Производство: Россия
Год:199*

Конфигурация: n-p-n
Ток: коллектора обратный: не более 10 мА
Мощность: рассеиваемая: 30 Вт
Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В
Коэффициент: передачи тока статический: более 15
Частота: коэффициента передачи тока граничная: более 35 МГц
Максимальный ток: коллектора постоянный: 5 А
Время: выключения: не более 450 нс
Сопротивление: насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом
Емкость: коллекторного перехода: не более 300 пФ

Производство: Россия
Год:2013

Производство: Россия
Год:199*

Конфигурация: n-p-n
Ток: коллектора обратный: не более 1 мА
Мощность: рассеиваемая: 40 Вт
Максимальное напряжение: эмиттер-база: 10 В
Коэффициент: передачи тока статический: более 10
Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 10 МГц
Максимальный ток: коллектора импульсный: 4 А
Время: рассасывания: не более 3500 нс
Сопротивление: насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,5 Ом

Производство: Россия
Год:200*

Производство: Россия
Год:199*

Конфигурация: n-p-n
Ток: коллектора обратный: не более 5 мА
Мощность: рассеиваемая: 60 Вт
Максимальное напряжение: эмиттер-база: 6 В
Коэффициент: передачи тока статический: более 7,5
Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 10 МГц
Максимальный ток: коллектора импульсный: 10 А
Время: рассасывания: не более 2500 нс
Сопротивление: насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,33 Ом
Емкость: коллекторного перехода: не более 200 пФ

Производство: Россия
Год:1996

Производство: Россия
Год:1990

Конфигурация: p-n-p
Ток: коллектора обратный: не более 200 мкА
Мощность: рассеиваемая: 60 Вт
Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В
Коэффициент: передачи тока статический: более 750
Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 7 МГц
Максимальный ток: коллектора импульсный: 12 А
Время: выключения: не более 3300 нс
Сопротивление: насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,66 Ом
Емкость: коллекторного перехода: не более 120 пФ

Производство: Россия
Год:1987

Производство: Россия
Год:1991

Производство: Россия
Год:1992

Конфигурация: n-p-n
Ток: коллектор-эмиттер обратный: 1 мА
Мощность: рассеиваемая: 12,5 Вт
Максимальное напряжение: коллектор-база: 1500 В
Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 2 МГц
Максимальный ток: коллектора импульсный: 7,5 А
Время: рассасывания: не более 12000 нс
Сопротивление: насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,1 Ом

Производство: Россия
Год:1992

Конфигурация: n-p-n
Ток: коллектор-эмиттер обратный: 3 мА
Мощность: рассеиваемая: 50 Вт
Максимальное напряжение: эмиттер-база: 4 В
Коэффициент: передачи тока статический: 10-50
Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 7,2 МГц
Максимальный ток: коллектора импульсный: 20 А
Время: рассасывания: не более 2000 нс
Сопротивление: насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом
Емкость: коллекторного перехода: не более 300 пФ