Транзисторы разные

Конфигурация: n-p-n
Ток: эмиттера обратный: 1 мА
Мощность: рассеиваемая макс.: 2 Вт
Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В
Коэффициент: передачи тока статический: >20
Напряжение: насыщения между коллектором и эмиттером: <2 В Частота: коэффициента передачи тока граничная: >3 МГц
Максимальный ток: коллектора импульсный: 20 А
Рабочая температура: -40…+100 °С
Максимальная температура: перехода: 125 °С

Производство: Россия
Год:199*

Производство: Россия
Год:198*

Производство: Россия
Год:1989

Конфигурация: n-p-n
Мощность: рассеиваемая макс.: 160 Вт
Максимальное напряжение: эмиттер-база: 7 В
Коэффициент: передачи тока статический: не менее 100
Максимальный ток: коллектора импульсный: 63 А

Конфигурация: p-n-p
Мощность: рассеиваемая макс.: 0.8 Вт
Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В
Коэффициент: передачи тока статический: 80-250
Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 30 МГц
Максимальный ток: коллектора постоянный: 2 А

Конфигурация: n-p-n
Ток: коллектор-эмиттер обратный: <3 мА Мощность: рассеиваемая макс.: 75 Вт Максимальное напряжение: эмиттер-база: 9 В Коэффициент: передачи тока статический: 8-40 Напряжение: насыщения между коллектором и эмиттером: <1 В Частота: коэффициента передачи тока граничная: >4 МГц
Максимальный ток: коллектора импульсный: 8 А
Рабочая температура: -45…+100 °С
Емкость: коллекторного перехода: <110 пФ Максимальная температура: перехода: 150 °С

Производство: Россия
Год:1999

Конфигурация: p-n-p
Мощность: рассеиваемая макс.: 20 Вт
Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В
Коэффициент: передачи тока статический: 100-15000
Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 25 МГц
Максимальный ток: коллектора постоянный: 4 А

Производство: Россия
Год:1991

Конфигурация: n-p-n
Ток: коллектор-эмиттер обратный: 5 мА
Мощность: рассеиваемая макс.: 50 Вт
Максимальное напряжение: эмиттер-база: 7 В
Коэффициент: передачи тока статический: более 4
Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 3 МГц
Максимальный ток: коллектора импульсный: 12 А
Сопротивление: насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом

Производство: Россия
Год:1995

Производство: Россия
Год:1995

Конфигурация: n-p-n
Ток: коллектора обратный: не более 0,1 мА
Мощность: рассеиваемая макс.: 125 Вт
Максимальное напряжение: эмиттер-база: 6 В
Коэффициент: передачи тока статический: более 6
Максимальный ток: коллектора импульсный: 15 А
Сопротивление: насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом

Конфигурация: n-p-n
Ток: коллектора обратный: не более 0,1 мА
Мощность: рассеиваемая макс.: 125 Вт
Максимальное напряжение: эмиттер-база: 6 В
Коэффициент: передачи тока статический: более 6
Максимальный ток: коллектора импульсный: 15 А
Сопротивление: насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом

Производство: Россия
Год:2002

Производство: Россия
Год:199*

Производство: Россия
Год:1992
Срок поставки: Сверить остаток!!!

Конфигурация: n-p-n
Мощность: рассеиваемая макс.: 15 Вт
Максимальное напряжение: эмиттер-база: 4 В
Коэффициент: передачи тока статический: 10-100
Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 3 МГц
Максимальный ток: коллектора постоянный: 2,5 А

Производство: Россия
Год:1992

Конфигурация: p-n-p
Мощность: рассеиваемая макс.: 0,6 Вт
Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В
Коэффициент: передачи тока статический: 100
Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 200 МГц
Максимальный ток: коллектора постоянный: 400 мА
Емкость: коллекторного перехода: не более 8 пФ

Конфигурация: p-n-p
Ток: коллектора обратный: не более 0,01 мкА
Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В
Коэффициент: передачи тока статический: 100-300
Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 2 МГц
Максимальный ток: коллектора постоянный: 600 мА
Емкость: коллекторного перехода: не более 8 пФ