Конфигурация: p-n-p
Ток: коллектора обратный: 0,1 мкА
Мощность: рассеиваемая макс.: 300 мВт
Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В
Коэффициент: шума: 4 дБ
Напряжение: насыщения между коллектором и эмиттером: 0,5 В
Частота: коэффициента передачи тока граничная: 200 МГц
Максимальный ток: коллектора импульсный: 200 мА
Рабочая температура: -60…+125 °С
Конфигурация: p-n-p
Ток: коллектора обратный: 0,1 мкА
Мощность: рассеиваемая макс.: 300 мВт
Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В
Коэффициент: шума: 10 дБ
Напряжение: насыщения между коллектором и эмиттером: 0,5 В
Частота: коэффициента передачи тока граничная: 200 МГц
Максимальный ток: коллектора импульсный: 200 мА
Рабочая температура: -60…+125 °С
Конфигурация: n-p-n
Ток: коллектора обратный: 0,05 мкА
Мощность: рассеиваемая макс.: 250 мВт
Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В
Коэффициент: шума: 10 дБ
Максимальный ток: коллектора импульсный: 250 мА
Рабочая температура: -40…+85 °С
Емкость: коллекторного перехода: 6 пФ
Конфигурация: npn
Ток: эмиттера обратный: не более 1 мкА
Коэффициент: передачи тока статический: не менее 250
Емкость: коллекторного перехода: не более 20 пФ
Конфигурация: p-n-p
Ток: эмиттера: 30 мА
Мощность: рассеиваемая макс.: 200 мВт
Максимальное напряжение: эмиттер-база: 10 В
Коэффициент: передачи тока статический: 40-120
Напряжение: насыщения между коллектором и эмиттером: 0,4 В
Частота: коэффициента передачи тока граничная: 5 МГц
Максимальный ток: коллектора импульсный: 500 мА
Наш телефон: