Транзисторы разные

Производство: Россия
Год:1985

Конфигурация: n-p-n
Ток: коллектора обратный: не более 0,5 мкА
Мощность: рассеиваемая: 30 мВт
Максимальное напряжение: эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю: 4 В
Коэффициент: передачи тока статический: 40…200
Частота: коэффициента передачи тока граничная: 1100 МГц
Максимальный ток: 10 мА
Емкость: коллекторного перехода: 1,3 пФ

Конфигурация: p-n-p
Ток: коллектора обратный: не более 0,5 мкА
Мощность: рассеиваемая: 200 мВт
Максимальное напряжение: эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Коэффициент: передачи тока статический: 45-160
Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 400 МГц
Максимальный ток: 50 мА
Сопротивление: насыщения между коллектором и эмиттером: не более 30 Ом
Емкость: коллекторного перехода: не более 5 пФ

Конфигурация: n-p-n
Ток: коллектора обратный: не более 0,5 мкА
Мощность: рассеиваемая: 200 мВт
Максимальное напряжение: эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Коэффициент: передачи тока статический: 20-70
Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 250 МГц
Максимальный ток: 50 мА
Сопротивление: насыщения между коллектором и эмиттером: не более 30 Ом
Емкость: коллекторного перехода: не более 5 пФ

Конфигурация: n-p-n
Ток: коллектора обратный: не более 0,5 мкА
Мощность: рассеиваемая: 200 мВт
Максимальное напряжение: эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Коэффициент: передачи тока статический: 20-70
Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 250 МГц
Максимальный ток: 50 мА
Сопротивление: насыщения между коллектором и эмиттером: не более 30 Ом
Емкость: коллекторного перехода: не более 5 пФ

Производство: Россия
Год:1989

Ток: эмиттера обратный: не более 1 мкА
Коэффициент: передачи тока статический: 40-120
Напряжение: граничное: 5 В
Время: рассеиваемая: 10 нс
Емкость: эмиттерного перехода: 2,5 пФ

Производство: Россия
Год:1990

Производство: Россия
Год:198*

Производство: Россия
Год:1995

Конфигурация: n-p-n
Ток: коллектора обратный: не более 0,5 мкА
Мощность: рассеиваемая постоянная: 150 мВт
Максимальное напряжение: эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Коэффициент: передачи тока статический: 40-120
Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 800 МГц
Максимальный ток: 50 мА
Сопротивление: насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом
Емкость: коллекторного перехода: не более 3 пФ

Производство: Россия
Год:200*

Конфигурация: n-p-n
Ток: коллектора обратный: не более 0,5 мкА
Мощность: рассеиваемая постоянная: 150 мВт
Максимальное напряжение: эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Коэффициент: передачи тока статический: 40-120
Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 800 МГц
Максимальный ток: 50 мА
Сопротивление: насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом
Емкость: коллекторного перехода: не более 3 пФ

Производство: Россия
Год:1988

Производство: Россия
Год:1988

Ток: эмиттера обратный: 1 мкА
Коэффициент: передачи тока статический: 50-180
Напряжение: база-эмиттер: 1,1 В
Время: рассасывания: 10 нс
Емкость: эмиттерного перехода: 2 пФ

Вес: 3 г
Ток: эмиттера обратный: 100 мкА
Мощность: рассеиваемая: 0,3 Вт
Максимальное напряжение: эмиттер-база: 4 В
Коэффициент: передачи тока статический: 25-100
Корпус: КТЮ-27-3
Максимальный ток: 0,3 А
Рабочая температура: -60..+125°C

Производство: Россия

Производство: Россия
Год:2014

Производство: Россия
Год:2012

Производство: Россия
Год:2012

Производство: Россия
Год:198*

Производство: Россия
Год:2010
Срок поставки: ЗОЛОТО

Конфигурация: n-p-n
Ток: коллектора обратный: не более 1 мкА
Мощность: рассеиваемая постоянная: 225 мВт
Максимальное напряжение: эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Коэффициент: передачи тока статический: 25-100
Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 120 МГц
Максимальный ток: 30 мА
Сопротивление: насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом
Емкость: коллекторного перехода: не более 5 пФ

Производство: Россия
Год:1990

Конфигурация: p-n-p
Ток: коллектора обратный: не более 1 мкА
Мощность: рассеиваемая постоянная: 75 мВт
Максимальное напряжение: эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Коэффициент: передачи тока статический: 80-250
Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 200 МГц
Максимальный ток: 100 мА
Емкость: коллекторного перехода: не более 20 пФ